[发明专利]非易失性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110378154.0 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102544017A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金珉澈;沈载煌;宋尚彬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储器及其制造方法。一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极；以及在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区域。控制栅掩模图案位于所述控制栅电极上，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅。所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度。抗氧化间隔物位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间在所述控制金属栅的侧壁处。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅；在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区；在所述控制栅电极上的控制栅掩模图案，所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度；以及位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间且在所述控制金属栅的侧壁处的抗氧化间隔物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
