[发明专利]场效应晶体管和显示器无效
| 申请号： | 201110374817.1 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102394248A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 岩崎达哉;板垣奈穗 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管和显示器。所述场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。所述沟道层由包含In和Al的非晶氧化物材料In-Al-O形成。所述非晶氧化物材料的通过Al/(In+Al)表达的元素比为大于等于0.15且小于等于0.45。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 显示器 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极，其中，所述沟道层由包含In和Al的非晶氧化物材料In Al O形成，以及其中，所述非晶氧化物材料的通过Al/(In+Al)表达的元素比为大于等于0.15且小于等于0.45。
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