[发明专利]一种高热稳定性双层扩散阻挡层材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110374157.7 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102392216A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 孟祥康;汪蕾;操振华;胡坤;佘茜玮 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;H01L21/285 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备高热稳定性Ru/TaN双层扩散阻挡材料的制备方法，采用直流磁控溅射法，通过调节N气流量来实现对非晶TaN薄膜中N含量的精确控制，制备不同N含量的高性能双层Ru/TaN扩散阻挡层结构，有效工作稳定高达650℃。TaN薄膜中间隙的N原子在退火过程中扩散后可以提高Ru/TaN双层膜的扩散阻挡性能。通过对N含量的精确控制，可得到高热稳定性的双层Ru/TaN扩散阻挡材料并且仍然保持优良的电学性能，更好的保证了其实际应用。本发明操作简单，重复性好，实现效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高热 稳定性 双层 扩散 阻挡 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
高热稳定性双层扩散阻挡层材料的制备方法，其特征是采用直流磁控溅射法制备不同N含量的TaN膜和膜，即Ru/TaN双层膜结构；溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的Ta和Ru，衬底为单晶Si片(111)，在沉积之前，将Si片清洗，然后对真空室抽真空，对Ta和Ru靶进行约30min的预溅射；Ru和TaN膜制备时采用直流磁控溅射，真空室本底真空抽至6×10‑5Pa以上，制备时真空室加Ar气，真空室的工作压力设置为1.5Pa；衬底温度保持为室温，TaN膜的溅射功率80±10W，通过控制溅射过程中氮气的流量来获得不同N含量的TaN薄膜；Ru膜的溅射功率为134±10W。
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