[发明专利]一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110372027.X | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123931A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 胡君;刘冬华;钱文生;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底上方形成有有源区，P型膺埋层形成于有源区中，P型膺埋层上方形成有多个浅沟槽隔离，浅沟槽隔离放上形成有多晶硅层，有源区上方形成有发射区，发射区与多晶硅层交替排列，发射区通过接触孔引出连接金属连线，P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线，深接触孔中具有钛或锡和钨。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构的制造方法。本发明的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法能增加PIN器件的正向导通电流，增加PIN器件的有效面积，降低PIN器件的插入损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bicmos 工艺 寄生 pin 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中寄生N‑I‑P型PIN器件结构，其特征是，包括：P型衬底上方形成有有源区，P型膺埋层形成于有源区中，P型膺埋层上方形成有多个浅沟槽隔离，浅沟槽隔离上方形成有多晶硅层，有源区上方形成有发射区，发射区与多晶硅层交替排列，发射区通过接触孔引出连接金属连线，P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线，深接触孔中具有钛或锡和钨。
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