[发明专利]一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构无效
| 申请号： | 201110369308.X | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103122456A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王丽丹;梁学敏;刘忆军 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 白振宇 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体薄膜沉积设备领域，具体地说，是一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构，包括混气室、气体入口管路、气体出口管路及进气挡板，其中混气室底面分别连接有第一气体入口管路及第二气体入口管路，所述第一气体入口管路及第二气体入口管路的上方设有安装在混气室底面上的进气挡板，第一气体入口管路及第二气体入口管路的入口均位于所述进气挡板的下方；所述气体出口管路为至少两个，对称连接在混气室相对的两侧面。本发明能实现各工艺气体充分混合，各腔室之间气体均匀分配，使各腔室之间保持相同的工艺状态，而且结构简单，成本低廉，体积小，方便安装维护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双腔室 多腔室 薄膜 沉积 设备 气体 混合 分配 结构 | ||
【主权项】：
一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构，其特征在于：包括混气室(1)、气体入口管路、气体出口管路及进气挡板(6)，其中混气室(1)底面分别连接有第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)，所述第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)的上方设有安装在混气室(1)底面上的进气挡板(6)，第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)的入口均位于所述进气挡板(6)的下方；所述气体出口管路为至少两个，对称连接在混气室(1)相对的两侧面。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
