[发明专利]CIGS太阳能光伏电池制备方法无效
| 申请号: | 201110367960.8 | 申请日: | 2011-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN102386283A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
| 发明(设计)人: | 陈群 | 申请(专利权)人: | 陈群 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 淮安市科翔专利商标事务所 32110 | 代理人: | 韩晓斌 |
| 地址: | 223002 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种CIGS太阳能光伏电池制备方法,该光伏电池制备方法包括以下步骤:清洗玻璃基板,溅镀钼金属,溅镀铜铟镓合金,硒(硫)化,化学浴沉积硫化锌,溅镀氧化锌和溅镀铝杂氧化锌;本发明原材料利用率高,电池化合物组分均匀,光电转换效率高,重复性好。 | ||
| 搜索关键词: | cigs 太阳能 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
CIGS太阳能光伏电池制备方法,其特征在于该光伏电池制备方法包括以下步骤:(1)清洗玻璃基板:将玻璃基板在碱液中浸泡,再用水清洗并用空气或氮气吹干;(2)溅镀钼(Mo)金属:在磁控溅射设备中,以氩气(Ar)为气源、钼金属为靶源,在真空度下步骤1的玻璃基板上溅镀一层钼金属薄膜作为背面电极;(3)溅镀铜(Cu)铟(In)镓(Ga)合金:在磁控溅射设备中,以氩气为气源、铜镓合金和铟为靶源,在真空度下步骤2的钼金属镀膜上继续溅镀一层铜铟镓合金作为吸收层前体;(4)硒(硫)化:将步骤3的溅镀了铜铟镓合金和钼金属的玻璃基板放置在硒化炉中迅速升温,先用氮气稀释的硒化氢(H2Se)进行硒化,再换成氮气稀释的硫化氢(H2S)进行硫化,得到铜铟镓硒硫化合物(CuInXGa1 XSeYS2 Y)作为吸收层;(5)化学浴沉积硫化锌(ZnS):将步骤4的硒(硫)化后的玻璃基板浸泡在含有硫酸锌(ZnSO4)、硫脲(SC(NH2)2)和氨水(NH3H2O)的水浴中,沉积硫化锌作为缓冲层;(6)溅镀氧化锌(ZnO):在磁控溅射设备中,以氩气和氧气为气源、氧化锌陶瓷靶为靶源,在真空度下步骤5的硫化锌缓冲层上面真空磁控溅射镀一层氧化锌作为窗口层;(7)溅镀铝杂氧化锌(Al ZnO):在磁控溅射设备中,以氩气和氧气为气源、氧化锌陶瓷靶为靶源,在真空度下步骤6的氧化锌窗口层上面真空磁控溅射镀一层铝杂氧化锌作为正面透明电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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