[发明专利]太阳能电池及其形成方法无效
| 申请号: | 201110359454.4 | 申请日: | 2011-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN103107215A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
| 发明(设计)人: | 吴展兴;章贤亮;涂永义 | 申请(专利权)人: | 太聚能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开一种太阳能电池及其形成方法,该太阳能电池包括:位于基底上的一半导体叠层、位于该半导体叠层上的一窗层、位于该窗层上的一案化的顶盖层与一不连续的化合物叠层其中,该化合物叠层侧面与该案化的顶盖层侧面之间的窗层上表面、以及该案化的顶盖层侧面是被一共形层全面地覆盖。该太阳能电池还包括:位于该案化的顶盖层上的一金属栅线。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:基底;半导体叠层,位于该基底上;窗层,位于该半导体叠层上;图案化的顶盖层,位于该窗层上;金属栅线,位于该图案化的顶盖层上;不连续的化合物叠层,具有第一部分以及第二部分,该第一部分覆盖该金属栅线上表面,该第二部分覆盖该窗层上表面的一第三部分,其中,该第二部分侧面、该图案化的顶盖层侧面、以及该金属栅线的部分下表面之间形成一缺陷区域,其中,在该缺陷区域内,至少该窗层上表面的一第四部分、以及该图案化的顶盖层侧面未被该化合物叠层覆盖;以及共形层,至少共形地覆盖该底切区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





