[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201110358575.7 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102427100A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;李园 | 申请（专利权）人： | 郭磊;李园 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，且所述衬底的顶部为多孔结构；在所述衬底之上形成多个掩膜阻挡结构，每两个所述掩膜阻挡结构之间具有开口；从所述开口中对所述衬底的顶部进行刻蚀以在每个所述开口中形成深孔；淀积III-V族化合物以填充所述深孔的上部并在所述多个掩膜阻挡结构之上形成III-V族化合物半导体层。本发明能够降低III-V族化合物的位错密度，同时避免了薄膜在外延厚度较大时出现龟裂，提高了薄膜的生长厚度和生长质量，使Si材料衬底能够很好地应用在LED器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，且所述衬底的顶部为多孔结构；在所述衬底之上形成多个掩膜阻挡结构，每两个所述掩膜阻挡结构之间具有开口；从所述开口中对所述衬底的顶部进行刻蚀以在每个所述开口中形成深孔，所述深孔形成在所述多孔结构之中；以及淀积III‑V族化合物以填充所述深孔的上部并在所述多个掩膜阻挡结构之上形成III‑V族化合物半导体层。
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