[发明专利]一种半导体晶圆高效纳米精度减薄方法

摘要

一种半导体晶圆高效纳米精度减薄方法，属于半导体晶圆超精密加工技术领域，特别涉及半导体晶圆的纳米精度减薄加工方法。其特征是采用平均直径小于1μm的金刚石作为磨料，采用多种陶瓷原料作为结合剂的一种高效纳米精度减薄方法。磨削液为去离子水，材料在粗减薄的去除率为9-30μm/min，精减薄的去除率为3-8μm/min。减薄时主轴转速为1800-5000r/min，工件转速为60-300r/min。适合的半导体的硬度值在25GPa以下，直径为18英寸以下的大直径半导体晶圆。本发明的效果和益处是实现了半导体晶圆的高效纳米精度减薄的加工效果。

主权项

一种半导体晶圆高效纳米精度减薄方法，采用陶瓷结合剂超细金刚石砂轮作为磨削工具，去离子水作为磨削液，实现大直径半导体晶圆高效纳米精度减薄的目的，其特征是：(1)半导体晶圆的硬度在25GPa以下；(2)半导体晶圆的直径在18英寸以下；(3)磨削液为去离子水；(4)减薄时砂轮主轴转速为1800‑5000r/min，工件转速为60‑300r/min；(5)粗减薄阶段材料的去除率为9‑30μm/min，精减薄阶段材料的去除率为3‑8μm/min；(6)磨削砂轮的磨料为金刚石，颗粒的平均直径小于1μm，对应的粒度大于#10000；(7)磨削砂轮的结合剂为陶瓷结合剂，含有碳化硅、氮化硅、碳化钨、立方碳化硼、碳化硼、氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化铈、氧化钕中的三种或者四种，粒度与金刚石磨料的粒度相匹配；抑制剂和分散剂为氯化钠、氯化镁、氯化钾、硝酸钠、硝酸钾、硝酸镁中的一种或两种。