[发明专利]具有周围栅极结构的鳍型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有周围栅极结构的鳍型场效应晶体管及其制造方法，其中，所述方法包括：提供初锗硅衬底；刻蚀初锗硅衬底，形成锗硅衬底及位于锗硅衬底上的柱结构，柱结构包括下柱结构及位于下柱结构上的上柱结构；形成阻挡层，覆盖锗硅衬底及下柱结构；对上柱结构进行氧化处理，形成鳍柱及位于所述鳍柱表面的二氧化硅层，鳍柱包括下鳍柱及位于下鳍柱上的上鳍柱；形成锗硅层，覆盖所述阻挡层及二氧化硅层；刻蚀锗硅层及二氧化硅层形成栅极结构；移除阻挡层，暴露出锗硅衬底及下柱结构；对上鳍柱、下柱结构及锗硅衬底的表面进行离子注入工艺，以形成源漏极。从而抑制了场效应晶体管的短沟道效应，同时提高了场效应晶体管的电性能。

主权项

一种具有周围栅极结构的鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：提供初锗硅衬底；刻蚀所述初锗硅衬底，以形成锗硅衬底及位于所述锗硅衬底上的柱结构，所述柱结构包括靠近所述锗硅衬底的下柱结构及位于所述下柱结构上的上柱结构；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述锗硅衬底及下柱结构，同时，露出上柱结构；对上柱结构进行氧化处理，以形成鳍柱及位于所述鳍柱表面的二氧化硅层，所述鳍柱包括靠近所述下柱结构的下鳍柱及位于所述下鳍柱上的上鳍柱；形成锗硅层，所述锗硅层覆盖所述阻挡层及二氧化硅层；刻蚀所述锗硅层及二氧化硅层以形成栅极结构，所述栅极结构位于所述下鳍柱表面，同时，暴露出阻挡层及上鳍柱；移除所述阻挡层，暴露出锗硅衬底及下柱结构；对所述上鳍柱、下柱结构及锗硅衬底的表面进行离子注入工艺，以形成源漏极。