[发明专利]用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法无效

申请号：	201110356225.7	申请日：	2011-10-27
公开（公告）号：	CN102456754A	公开（公告）日：	2012-05-16
发明（设计）人：	S·D·费尔德曼-皮博迪;M·J·帕沃尔	申请（专利权）人：	初星太阳能公司
主分类号：	H01L31/0352	分类号：	H01L31/0352;H01L31/0328;H01L31/18
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	柯广华;王忠忠
地址：	美国科***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明名称为“用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法”。一般公开碲化镉薄膜光伏器件(10)包括：在硫化镉层(18)和碲化镉层(20)之间的硫化镉和碲化镉的混合层(19)。一般来说，混合层(19)具有在从硫化镉层(18)朝向碲化镉层(20)的方向中延伸的、增加的碲浓度和降低的硫浓度。还一般地公开了用于制造具有硫化镉和碲化镉的混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。
搜索关键词：	用于薄膜器件硫化碲化镉层混合以及它们制造方法
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【主权项】：

一种碲化镉薄膜光伏器件(10)，包括：硫化镉层(18)；在所述硫化镉层(18)上的硫化镉和碲化镉的混合层(19)；以及在所述混合层(18)上的碲化镉层(20)；其中，所述混合层(19)具有在从所述硫化镉层(18)朝向所述碲化镉层(20)的方向中延伸的、增加的碲浓度和降低的硫浓度。

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