[发明专利]栅极侧墙刻蚀方法、MOS器件制造方法以及MOS器件无效
| 申请号： | 201110355450.9 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102364663A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供了一种栅极侧墙刻蚀方法、MOS器件制造方法以及MOS器件。栅极侧墙刻蚀方法包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；第一侧壁刻蚀步骤，用于利用光刻胶对露出的栅极的另一侧壁进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶；以及第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除光刻胶之后对栅极两侧的侧壁进行刻蚀。通过对器件源漏侧的栅极侧墙的不同刻蚀，使刻蚀后漏端的栅极侧墙宽度增大，源端的栅极侧墙宽度减小，漏端的掺杂离子离沟道距离被拉远，源端的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉近，降低了漏端的纵向电场强度，减小了器件热载流子注入的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 刻蚀 方法 mos 器件 制造 以及 | ||
【主权项】：
一种栅极侧墙刻蚀方法，其特征在于包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；第一侧壁刻蚀步骤，用于利用所述光刻胶对露出的栅极的所述另一侧壁进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；以及第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除所述光刻胶之后对栅极两侧的侧壁进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
