[发明专利]高光取出率发光二极管,及其制作方法

摘要

一种高光取出率发光二极管，包含一磊晶基板、一发光单元，及一电极单元，该磊晶基板具有一基材，及多个第一透光锥，所述第一透光锥概呈锥状，由折射率低于该基材的材料构成，且任两相邻第一透光锥彼此不连接，该发光单元具有一第一型半导体层，该第一型半导体层具有一底膜、多个形成于该底膜表面的第二透光锥，及一形成于该底膜及所述第二透光锥表面的顶膜，所述第二透光锥由折射率与该顶膜及底膜不同的材料构成，且任两相邻第二透光锥彼此不连接，借由第一透光锥、第二透光锥的形状及与第一型半导体层及基材的折射率差，有效提升发光二极管的光取出率。此外，本发明还同时提供该高光取出率发光二极管的制作方法。

主权项

一种高光取出率发光二极管，包含一个磊晶基板、一个发光单元，及一个用以提供电能至该发光单元的电极单元；其特征在于：该磊晶基板具有一个基材，及多个第一透光锥，该基材具有一个平坦的表面，所述第一透光锥呈锥状，是由与该基材不同且折射率低于该基材的材料构成而形成于该表面，且任两个相邻的第一透光锥彼此不连接，该发光单元设置在该磊晶基板具有所述第一透光锥的表面，在接收电能时以光电效应发光，具有依序自该基材及所述第一透光锥的表面向上形成的一个第一型半导体层、一个发光层，及一个电性与该第一型半导体层相反的第二型半导体层，且该第一型半导体层具有一个与该基材及所述第一透光锥连接的底膜、多个形成于该底膜表面的第二透光锥，及一个形成于该底膜及所述第二透光锥表面的顶膜，所述第二透光锥呈锥状，由折射率与该顶膜及底膜不同的材料构成，且任两个相邻的第二透光锥彼此不连接。