[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110340617.4 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094340A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的沟槽，所述沟槽的底部为V形；位于所述沟槽内的应力层。相应的，本发明的实施例还提供了一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底表面的栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽的底部为V形；在所述沟槽内形成应力层。本发明实施例中底部为V形的沟槽中填充应力层，可以为沟道区带来更大的应力，有助于提高沟道区载流子的迁移率，增加晶体管的驱动电流，提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；其特征在于，还包括：位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的沟槽，所述沟槽的底部为V形；位于所述沟槽内的应力层。
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