[发明专利]一种NMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110340533.0 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094339A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;胡君;钱文生;韩峰;石晶;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种NMOS器件，包括：P型衬底、浅沟槽隔离、P阱、热氧化层、二氧化硅介质层、氮化硅硬掩膜层、隔离侧墙和补偿区，所述浅沟槽隔离、热氧化层、P阱和补偿区并列于P型衬底上方，所述热氧化层和补偿区位于浅槽隔离和P阱之间，所述二氧化硅介质层位于P阱上方，所述隔离侧墙位于补偿区上方与二氧化硅介质层相邻，所述氮化硅硬掩膜层位于二氧化硅介质层上方与隔离侧墙相邻，所述热氧化层具有P型杂质。本发明还公开了一种NMOS器件的制作方法。本发明的NMOS器件及其制作方法能抑制深亚微米工艺中NMOS器件的窄沟槽效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS器件，包括：P型衬底、浅沟槽隔离、P阱、热氧化层、二氧化硅介质层、氮化硅硬掩膜层、隔离侧墙和补偿区，所述浅沟槽隔离、热氧化层、P阱和补偿区并列于P型衬底上方，所述热氧化层和补偿区位于浅槽隔离和P阱之间，所述二氧化硅介质层位于P阱上方，所述隔离侧墙位于补偿区上方与氮化硅介质层相邻，所述氮化硅硬掩膜层位于二氧化硅介质层上方与隔离侧墙相邻；其特征是：所述热氧化层具有P型杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110340533.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热量表
- 下一篇：一种带数显装置的焦利秤
- 同类专利
- 专利分类
