[发明专利]N型衬底硅太阳能电池及其生产方法

摘要

本发明公开了一种N型衬底硅太阳能电池及其生产方法，包括N型硅衬底，其特征是在N型硅衬底的一侧设有N+区层，在N+区层上设有减反膜层，在减反膜层上设有正银层，在N型硅衬底的另一侧设有P区层，在P区层上设有背电极层，所述背电极层为金属铝层。本发明得到的N型衬底硅太阳能电池，比P型衬底硅太阳能电池有更高的载流子寿命、复合缺陷少、温度系数误差小、厚度薄，在供给料上也有着不可估计的优势；N型硅太阳电池通过工艺的进一步改善，能够将太阳电池的转换效率得到更大的提高，并在很大程度上改善太阳电池的电性能，平均每一片比P型衬底硅太阳电池多0.15W，按每瓦平均10元人民计算，每条生产线将增加利润近千万元。

主权项

一种N型衬底硅太阳能电池，包括N型硅衬底(1)，其特征是在N型硅衬底(1)的一侧设有N+区层(2)，在N+区层(2)上设有减反膜层(3)，在减反膜层(3)上设有正银层(4)，在N型硅衬底(1)的另一侧设有P区层(5)，在P区层(5)上设有背电极层(6)，所述背电极层(6)为金属铝层。