[发明专利]一种非制冷红外探测器的设计及制备方法在审
申请号: | 201110338955.4 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN102509728A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 于晓梅;袁明泉;文永正;周晓雄 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/103;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种非制冷红外探测器的设计和制备方法,特别是关于一种基于单晶硅PN结温度特性的多波段非制冷红外探测器的设计和制备。本发明所提供的红外探测器由红外焦平面阵列、支撑焦平面阵列的衬底以及位于上述衬底上的驱动和读出电路组成;其中,PN结作为红外探测器中温度敏感单元设置在焦平面阵列的像元内,将吸收的热能转化成电压信号输出;设置于像元上的红外吸收结构层用于实现吸收不同波段的红外辐射;焦平面阵列信号最终由读出电路输出。本发明提供的红外探测器可实现非制冷工作和多波段红外探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 制冷 红外探测器 设计 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于单晶硅PN结温度特性的多波段、非制冷红外探测器,其特征在于:所述红外探测器由红外焦平面阵列(FPA)、支撑焦平面阵列的衬底以及位于上述衬底上的驱动和读出电路组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的