[发明专利]一种光子晶体结构发光二极管有效
| 申请号： | 201110338574.6 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102361053A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张雄;王璨璨;陈洪钧;张沛元;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光子晶体结构发光二极管，其特征在于该发光二极管包括：作为生长发光二极管衬底的n型硅衬底（1），在n型硅衬底（1）上设有AlN成核层（2），在AlN成核层（2）上生长有AlN/AlGaN多层缓冲层（3），在此多层缓冲层（3）表面制备有光子晶体结构（4），在此光子晶体结构（4）上生长n型GaN外延层（5），在n型GaN外延层（5）上生长有InGaN多量子阱有源发光层（6）。通过本发明的在多层缓冲层内刻蚀形成的周期性光子晶体微结构，能将沿不同方向传播的光子能量耦合至垂直于LED表面的方向，大幅度地提高LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 晶体结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种光子晶体结构发光二极管，其特征在于：其包括：作为生长发光二极管衬底的n型硅衬底（1），在n型硅衬底（1）上设有AlN成核层（2），在AlN成核层（2）上生长有AlN/AlGaN多层缓冲层（3），在此多层缓冲层（3）表面制备有光子晶体结构（4），在此光子晶体结构（4）上生长n型GaN外延层（5），在n型GaN外延层（5）上生长有InGaN多量子阱有源发光层（6）；AlN成核层（2）和AlN/AlGaN多层缓冲层（3）来作为n型硅衬底（1）和n型GaN外延层（5）之间的缓冲介质；在AlN/AlGaN多层缓冲层（3）内刻蚀形成光子晶体微结构；p型电极和n型电极分别制作在p型GaN外延层表面和n型硅衬底（1）背面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110338574.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电池节能充放电的方法及测试系统
- 下一篇：变压器线圈绕制张力自动控制系统
