[发明专利]具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110338222.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102354708A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 崔宁;梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空层，其中，所述凸起结构顶部的悬空层区域为沟道区，所述凸起结构两侧的悬空层区域分别为导电类型相反的源区和漏区；和形成在所述沟道区顶部的栅堆叠。根据本发明实施例的隧穿场效应晶体管，通过采用悬空的源漏结构可以有效地减小晶体管的源漏电容，提高器件的工作速度，并减少源漏和衬底之间的关态漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 悬空 场效应 晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙，所述间隙小于30nm；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空层，其中，所述凸起结构顶部的悬空层区域为沟道区，所述凸起结构两侧的悬空层区域分别为导电类型相反的源区和漏区；和形成在所述沟道区顶部的栅堆叠。
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