[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和电子装置无效
申请号: | 201110337727.5 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN102468314A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 长野光浩 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及固体摄像器件及其制造方法和包括该固体摄像器件的电子装置。所述固体摄像器件包括:光电转换单元,其形成在半导体基板上;读取单元,其读取光电转换单元的信号电荷,并由栅极绝缘膜和布置在栅极绝缘膜上的电极构成;遮光膜,其覆盖电极;以及防反射膜,其形成在光电转换单元上,并由四层以上的膜构成,其中,防反射膜中的下层的膜在图案化期间兼作阻挡膜,并且遮光膜的端部与半导体基板之间的间隔设置成小于栅极绝缘膜的厚度,通过在遮光膜的端部与半导体基板之间插入防反射膜中的下层的多层膜界定所述间隔。本发明提供能够提高拖尾特性的稳定性并提高防反射的效果和透光性的固体摄像器件及其制造方法和电子装置。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括:光电转换单元,其形成在半导体基板上;读取单元,其读取所述光电转换单元的信号电荷,并由栅极绝缘膜和布置在所述栅极绝缘膜上的电极构成;遮光膜,其覆盖所述电极;以及防反射膜,其形成在所述光电转换单元上,并由四层以上的膜构成,其中,所述防反射膜中的下层的膜在图案化期间兼作阻挡膜,并且所述遮光膜的端部与所述半导体基板之间的间隔设置成小于所述栅极绝缘膜的厚度,通过在所述遮光膜的端部与所述半导体基板之间插入所述防反射膜中的所述下层的多层膜界定所述间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110337727.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:固态成像设备和电子装置
- 下一篇:荧光显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的