[发明专利]一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110331789.5 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102437831A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈希明;孙连婕;薛玉明;郭燕;阴聚乾;张倩 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H3/08 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，为IDT/c-BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c-BN压电薄膜组成；其制备方法是：1）采用直流磁控溅射法在纳米CVD金刚石衬底表面沉积纳米Al膜；2）采用射频磁控溅射法在纳米Al膜表面沉积纳米立方氮化硼c-BN薄膜；3）在纳米立方氮化硼c-BN薄膜表面制备叉指换能器IDT。该声表面波器件可满足高频(4.8GHz以上)、高机电耦合系数、大功率(8w以上)、低传播损耗、低频率温度系数的声表面波(SAW)器件等领域的应用要求，且制备工艺简单、易于实施、利于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立方 氮化 压电 薄膜 表面波 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，其特征在于：为IDT/c‑BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c‑BN压电薄膜组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110331789.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于FPGA的多路语音广播系统及实现方法
- 下一篇：一种多功能微型计算器
