[发明专利]一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件及制备方法无效
| 申请号： | 201110331314.6 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102412803A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈希明;郭燕;薛玉明;孙连婕;阴聚乾;张倩 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/25;C23C28/04;C23C16/27;C23C14/08;C23C14/06 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件，以a-轴择优取向的AlN薄膜作为CVD金刚石衬底和c-轴择优取向ZnO薄膜之间的中间层，形成IDT/ZnO/a-轴择优取向AlN/金刚石多层膜结构并与叉指换能器IDT依次叠加构成高频声表面波器件；其制备方法是在纳米金刚石上制备以a-轴择优取向的AlN膜中间层，再在a-轴择优取向的AlN膜中间层上制备c-轴择优取向的ZnO膜。本发明的优点：通过引入a轴择优取向的AlN膜中间层，解决纳米金刚石与ZnO之间由于声速差距大而引起的声速频散，可满足高频（4.8GHz）以上声表面波的应用需求，且工艺简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 薄膜 中间层 高频 表面波 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件，其特征在于：以a‑轴择优取向的AlN薄膜作为CVD金刚石衬底和c‑轴择优取向ZnO薄膜之间的中间层，形成IDT/ZnO/a‑轴择优取向AlN/金刚石多层膜结构，即由纳米金刚石衬底、a‑轴择优取向的AlN薄膜、c‑轴择优取向ZnO薄膜和叉指换能器IDT依次叠加构成。
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