[发明专利]一种工业硅湿法除P的方法无效
| 申请号： | 201110328969.8 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102502651A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 马文会;麦毅;谢克强;周阳;魏奎先;伍继君;龙萍;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种工业硅湿法除P的方法，具体涉及一种操作容易，设备简单，能耗省，成本低的去除分凝系数较大的杂质P的方法，属于湿法冶金技术提纯硅的技术领域。本发明将工业硅粉碎细磨成粉，在氯化铵和氟化氢铵的混合溶液中，加热并搅拌一定时间，经过滤、洗涤、干燥后可得P含量低于10ppmw的硅。该法处理后的硅可作为制备太阳能级硅的原料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工业 湿法 方法 | ||
【主权项】：
一种工业硅湿法除P的方法，其特征在于具体步骤包括如下：（1）将工业硅破碎细磨成100～600目的硅粉；（2）将硅粉加入到浸出剂中，然后将混合液加热至40～100℃，浸出0.5‑10小时，浸出的同时搅拌0.5～8小时，得到硅粉和浸出剂形成的矿浆；（3）将硅粉和浸出剂形成的矿浆进行液固分离后，用纯净水洗涤1～3次，然后在50～150℃条件下烘干。
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