[发明专利]一种倒装半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号: | 201110325094.6 | 申请日: | 2011-10-24 | 
| 公开(公告)号: | CN102354723A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 | 
| 发明(设计)人: | 王立;汤英文;江风益 | 申请(专利权)人: | 南昌黄绿照明有限公司 | 
| 主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/44;H01L33/00 | 
| 代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 | 
| 地址: | 330047 江西*** | 国省代码: | 江西;36 | 
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| 摘要: | 本发明公开了一种倒装半导体发光器件及其制造方法,它包括:具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层,在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极,在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板,特征是:所述的支撑基板是由玻璃或氧化硅材料制成的。在所述的支撑基板和半导体发光叠层之间设有一层粘接层。本发明的半导体发光器件由于采用有利于出光的倒装结构,从而可以提高芯片的取光效率和可靠性,并具有散热性能好的特点。本发明的半导体发光器件的制造方法能使制造成本大幅下降,从而使得半导体发光器件的成本较低,克服了市场上现有的倒装芯片的制造成本较高的缺点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 倒装 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
                一种倒装半导体发光器件,包括:具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层,半导体发光叠层朝下的表面为第一表面且为P型导电层,且部分区域的P型导电层被去除并在第一表面上形成一个或多个凹坑,凹坑的底部为N型导电层,在P型导电层上形成P型欧姆电极,在凹坑中的N型导电层上形成N型欧姆电极,且P型欧姆电极和N型欧姆电极之间设有一层或多层绝缘材料层,该绝缘材料层能使电流不能直接在P型欧姆电极和N型欧姆电极之间导通,而只能通过半导体发光叠层导通,即在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极,在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板,其特征在于:所述的支撑基板是由玻璃或氧化硅材料制成的。
            
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