[发明专利]一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构有效
| 申请号： | 201110324589.7 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103065932A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张苗;刘林杰;狄增峰;高晓强;陈达;薛忠营;姜海涛;卞建涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和顶层Ge薄膜，所述InxGa1-xAs层中In组分x为0﹤x≤1，并使所述InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在所述GaAs衬底上的临界厚度，使所述顶层Ge薄膜的厚度不超过其生长在所述InxGa1-xAs层上的临界厚度，以制备出Ge薄膜的样品；其次，对所述样品进行氦离子或氢离子注入，并使氦离子或氢离子的峰值分布在所述InxGa1-xAs层与GaAs衬底相结合的界面下10～1000nm；最后对所述样品进行快速热退火，退火后得到弛豫的InxGa1-xAs层和张应变Ge薄膜，进而达到了用低成本制备出具有张应变、高迁移率Ge薄膜，并能减小InxGa1-xAs缓冲层的厚度、降低其穿透位错密度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 ge 薄膜 制备 方法 层叠 结构 | ||
【主权项】：
一种张应变Ge薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一GaAs衬底，在所述GaAs衬底上分别外延出InxGa1‑xAs层和顶层Ge薄膜，所述InxGa1‑xAs层中In组分x为0＜x≤1，并使所述InxGa1‑xAs层的厚度不超过其生长在所述GaAs衬底上的临界厚度，使所述顶层Ge薄膜的厚度不超过其生长在所述InxGa1‑xAs层上的临界厚度，以制备出Ge薄膜的样品；2)对所述样品进行氦离子或氢离子注入，并使氦离子或氢离子的峰值分布在所述InxGa1‑xAs层与GaAs衬底相结合的界面下10nm～1000nm；3)对所述样品进行快速热退火，退火后得到弛豫的InxGa1‑xAs层和张应变Ge薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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