[发明专利]全条件下实现产生高稳定性频率的振荡器结构有效
| 申请号： | 201110322053.1 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066951A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 周平;古炯均 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/011 | 分类号： | H03K3/011;H03K3/3565 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全条件下实现产生高稳定性频率的振荡器结构；包括：P1与R1，R2组成电流基准电流源；P2，C1，N1与组成镜像电流充放电路；比较器与施密特比较器组成迟滞比较器电路；P1，R1，R2之间的产生基准电压VR作为比较器CMP的比较输入端。本发明在全温度与全工作电压范围内，实现振荡器输出频率的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 条件下 实现 产生 稳定性 频率 振荡器 结构 | ||
【主权项】：
一种全条件下实现产生高稳定性频率的振荡器结构；其特征在于，包括：P1与R1，R2组成电流基准电流源；P2，C1，N1与组成镜像电流充放电路；比较器与施密特比较器组成迟滞比较器电路；P1，R1，R2之间的产生基准电压VR作为比较器CMP的比较输入端。
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