[发明专利]带有集成箝位电路的累积型场效应管

摘要

本发明提出了一种场效应管，它包括具有栅极、源极和漏极区的半导体衬底；以及形成在半导体衬底上的一个p-n结，p-n结与栅极、漏极和源极区电连接，以获得所需的击穿电压。在一个实施例中，栅极区还包括多个空间分离的沟槽栅极，p-n结由外延层和带有金属化层界面之间的交界面限定。击穿电压在一定程度上由所形成的p-n结的数量所决定。在另一个实施例中，通过在位于沟槽栅极附近的外延层区域中，制备多个空间分离的p-型区，形成p-n结。

主权项

一种集成电路，其特征在于，该集成电路包含：一个半导体衬底，在该衬底上形成带有栅极、源极和漏极区的累积型场效应管；以及一个肖特基二极管，形成在所述的半导体衬底上，并与所述的累积FET型场效应管中所述的漏极和源极区并联耦合，以获得所需的击穿电压。