[发明专利]一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110319278.1 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN103066175A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;黄博;刘存志;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，本发明所述的发光二极管，通过在P型GaN表面，P电极正下方对应的局部位置上制备一层反射膜，有效反射发光层射向电极下方的光线，反射膜上的电流阻挡层能改善电流在电极下方积聚的现象，具有反射作用的电流阻挡层内的圆柱形空洞内填充ITO导电材料，可以保证使P电极对应的位置下方也有少量的电流通过，这样既避免电流积聚，又能提高电极下方对应位置发光区效率，同时也很好的解决了P电极下方对应位置结温易迅速升高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括衬底层上依次是GaN外延层和电流扩展层，所述GaN外延层由下往上依次包括N型GaN半导体层、发光层和P型GaN半导体层，在电流扩展层上是P电极焊线层，在N型GaN半导体层上是N电极焊线层，其特征在于，在P电极焊线层正下方对应位置生长有一层具有反射作用的电流阻挡层，位于P型GaN半导体层和电流扩展层之间，所述的电流阻挡层内有圆柱形空洞，在所述圆柱形空洞内有ITO透明导电材料。
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