[发明专利]一种用于电极材料的氮化钛外延薄膜的制备方法

摘要

一种用于电极材料的氮化钛外延薄膜的制备方法，步骤如下：1)在三靶超高真空磁控溅射镀膜机的强磁性靶头上安装Ti靶；2)将基底表面杂质清除后，安装在基片架上；3)开启磁控溅射镀膜机抽真空；4)向真空室通入Ar和N2混合气体；5）将基底的温度升至550oC；6)开启溅射直流电源，在Ti靶上施加电流和直流电压；7)打开基片架上的挡板溅射生长薄膜；8)溅射完成后，向真空室充入氮气，取出制得的目标产品。本发明的优点是：该制备方法工艺简单，靶材使用率较高，基底加热温度较低，仅为550oC，工业上易于实施；该氮化钛外延薄膜具有较低电阻率，作为电极材料具有广泛的应用范围。

主权项

一种用于电极材料的氮化钛外延薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：1)在三靶超高真空磁控溅射镀膜机的强磁性靶头上安装一个Ti靶；2)将基底表面杂质清除后，安装在基片架上，基片架在上方，靶在下方，基片与Ti靶的距离为12 cm；3)开启磁控溅射镀膜机，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，直至溅射室的背底真空度为8×10–6 Pa；4)向真空室通入Ar和N2混合气体，使得真空室中的真空度保持在1 Pa；5）将基底的温度以10 oC/分钟的速率升至550 oC；6)开启溅射直流电源，在Ti靶上施加电流和直流电压，预溅射10分钟，等溅射电流和电压稳定；7)打开基片架上的挡板开始溅射生长薄膜，基片位置固定；8)生长薄膜10分钟后，关闭基片架上的挡板，然后关闭溅射电源，停止通入溅射气体Ar和N2，继续抽真空，并且将基底温度以5 oC/min的降温速率降至室温，然后关闭真空系统，然后向真空室充入纯度为99.999%的氮气，直到真空室的气压与外面大气压相同时，打开真空室取出制得的目标产品。