[发明专利]同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源有效
| 申请号： | 201110311069.2 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102385409A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 朱文锐;杨海钢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源，涉及CMOS集成电路技术，包括两个PMOS管，两个NMOS管，一个负温度系数电阻和一个正温度系数电阻。本发明的VGS/R型基准源电路，在传统的VGS/R型电路的基础上增加了一个正温度系数的电阻。相比于传统的VGS/R型基准源电路只可以提供一个恒电流基准，改进的电路除了可提供一个恒电流基准外，还可以同时提供一个零温度系数的恒电压基准。同时，该改进结构不增加任何功耗，且结构简单，功耗低，版图面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 提供 温度 系数 电压 电流 基准 sub gs | ||
【主权项】：
一种同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源，用于无线射频识别标签，包括两个PMOS管(PM1、PM2)，两个NMOS管(NM1、NM2)，一个负温度系数电阻(RCTAT)；PM1管的源极和PM2管的源级接VDD；PM1管的漏极分别接NM1管的漏极和NM2管的栅极；PM1管的栅极分别接PM2管的栅极和漏极，及NM2管的漏极；NM1管的栅极接负温度系数电阻(RCTAT)的一端，NM1管的源极分别接负温度系数电阻(RCTAT)的另一端和地；其特征在于，还包括一个正温度系数电阻(RPTAT)；其中，NM2管的源极接正温度系数电阻(RPTAT)的一端，正温度系数电阻(RPTAT)的另一端接NM1管栅极和负温度系数电阻(RCTAT)一端的接点。
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