[发明专利]一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法，属于涂层技术领域，适用于硅、锗半导体材料以及钢及其合金、铝及其合金金属材料表面类金刚石膜的化学气相法镀制，产品特别适合在盐雾、海水、酸、碱、盐等腐蚀环境下使用。本发明方法包括下述步骤：（1）基底清洗；（2）惰性气体离子轰击；（3）类金刚石薄膜沉积；类金刚石薄膜沉积分为A型类金刚石膜层沉积和B型类金刚石膜沉积；在沉积过程中A型类金刚石膜和B型类金刚石膜交替沉积生长。本发明的优点是：方法简单，易于操作和实现，类金刚石薄膜具备优异的抗盐雾、海水、酸、碱、盐等介质腐蚀能力，且无需使用剧毒气体或原料，因此，安全环保。

主权项

一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法，其特征在于，薄膜由A型和B型至少两层类金刚石薄膜交替沉积组成；所述交替沉积是第一层在基底上沉积A型薄膜，第二层为在A型薄膜上沉积的B型薄膜，此后依次按A型薄膜沉积在B型薄膜上，B型薄膜沉积在A型薄膜上；所述 A型薄膜，在沉积时气源为碳氢气体；所述B型薄膜，在沉积时气源为碳氢气体和氧气；方法步骤如下：（1）基底清洗：去除基底表面残留污染物；（2）惰性气体离子轰击：将清洗后的物件置于抽真空的设备中，然后通入惰性气体，加激励电源使惰性气体形成等离子体，等离子体对基底进行离子轰击；（3）沉积第一层A型类金刚石薄膜: 在惰性气体离子轰击后，再抽真空，然后通入碳氢气体，加激励电源使碳氢气体形成碳氢等离子体，碳氢等离子体在基底上沉积生长成A型类金刚石薄膜；（4）沉积B型类金刚石薄膜：在上述第一层A型类金刚石薄膜沉积完成后，然后在第（3）步骤碳氢气体气源中直接增加一定量的氧气，加激励电源使碳氢气体和氧气混合气体形成碳氢氧等离子体，碳氢氧等离子体在基底上沉积生长成B型类金刚石薄膜；（5）沉积第二层之后的A型类金刚石薄膜：在上述第二层B型类金刚石薄膜沉积完成后，然后直接关闭第（4）步骤气源中的氧气，再采用一定能量的碳氢等离子体进行类金刚石膜的沉积；（6）按第（4）步和第（5）步交替沉积A型和B型类金刚石薄膜，直至结束。