[发明专利]电化学方法制备高纯多孔铁薄膜无效
| 申请号： | 201110307707.3 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102330119A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王妮;胡文成 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C25C5/02 | 分类号： | C25C5/02;C25D1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯多孔铁薄膜的制备方法。高纯多孔铁薄膜的制备方法，采用的是电化学方法，其特征是在含有亚铁离子和氢离子的电镀液，在高电流密度下，以在基底上形成的可靠尺寸的氢气泡为模板，通过一定的时间范围内电镀形成高纯多孔铁薄膜。本发明在高于0.5A/cm2且为5A/cm2以下的高电流密度下，优选1～3A/cm2的电流密度进行电镀，亚铁离子可以是无机盐和有机盐，浓度优选为0.1～0.5M，氢离子可以是无机酸和有机酸，控制镀液的pH值优选为0～2，电镀时间优选为10s～30s，控制氢气泡尺寸的表面活性剂的浓度优选为0.05～0.5wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 方法 制备 高纯 多孔 薄膜 | ||
【主权项】：
一种高纯多孔铁薄膜的制备方法，其特征是在含有亚铁离子和氢离子的电镀液，在高电流密度下，以在基底上形成的可靠尺寸的氢气泡为模板，通过一定的时间范围内电镀形成高纯多孔铁薄膜。
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