[发明专利]焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法有效
| 申请号： | 201110307168.3 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102683237A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李储安;黄惠琪;张简鹏崇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法。该方法包括：为化学机械抛光(CMP)系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的多个时间区域将阶梯系数分配给抛光焊盘；根据焊盘寿命影响分别限定多个时间区域的多个端点窗口；将CMP工艺施加给位于抛光焊盘上的晶圆；基于阶梯系数确定晶圆的抛光信号的时间区域；根据时间区域使端点窗口之一与抛光信号相关联；以及在由端点窗口所确定的端点处结束CMP工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 寿命 化学 机械抛光 影响 自适应 端点 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，包括：为化学机械抛光CMP系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的所述多个时间区域将阶梯系数分配给所述抛光焊盘；根据焊盘寿命影响来将所述多个端点窗口分别限定至所述多个时间区域；将CMP工艺施加给位于所述抛光焊盘上的晶圆；基于所述阶梯系数确定所述晶圆的抛光信号的时间区域；根据所述时间区域使所述端点窗口中的一个与所述抛光信号相关联；以及在由所述端点窗口所确定的端点处结束所述CMP工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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