[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110301444.5 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102420246A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可包括：导电散热衬底(即，热传导衬底)；布置在该散热衬底上的GaN基多层；和布置在GaN基多层上的肖特基电极。虽然这样的GaN基半导体器件正在制造，但是可以使用晶片键合工艺和激光剥离工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓(GaN)基半导体器件，包括：导电衬底；AlGaN层，布置在所述导电衬底上；GaN层，布置在所述AlGaN层上；和电极层，布置在所述GaN层上，所述电极层形成与所述GaN层的肖特基接触。
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