[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，在所述核心器件区域上的金属硅化物层和I/O区域上的金属硅化物层同时形成，相比于现有技术，减少一次形成金属硅化物层时必要的退火工艺，从而减小高温的退火工艺对半导体器件产生不利影响，同时节约了工艺步骤，降低了工艺成本。进一步的，保留的所述填充层填充所述凹槽，并且选择有机硅底部抗反射涂层或无机氧抗反射涂层作为填充层的材料，能够在后续去除第三图案化光刻胶的过程中一并去除，能够进一步保护凹槽中金属硅化层不被刻蚀损伤。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供一包括核心器件区域和I/O区域的半导体衬底，在所述核心器件区域上形成有至少一个金属栅极，在所述I/O区域上形成有至少一个多晶硅栅极，所述金属栅极和多晶硅栅极两侧的半导体衬底上形成有第一介质层；在所述金属栅极、多晶硅栅极和第一介质层上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成第一图案化光刻胶，并以所述第一图案化光刻胶为掩膜刻蚀所述氮化硅层，以暴露出所述多晶硅栅极的表面，再去除所述第一图案化光刻胶；在所述氮化硅层和多晶硅栅极上形成第二图案化光刻胶，并以所述第二图案化光刻胶为掩膜刻蚀所述氮化硅层和第一介质层，形成凹槽，所述凹槽暴露所述半导体衬底上待形成金属硅化物层的区域，再去除所述第二图案化光刻胶；同时在所述多晶硅栅极和所述半导体衬底的待形成金属硅化物层的区域上形成金属硅化物层；在所述凹槽内形成填充层；在所述核心器件区域和I/O区域上形成第二介质层。