[发明专利]有效薄层电荷密度获取方法无效
| 申请号： | 201110300022.6 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102353888A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 胡志远 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R29/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种有效薄层电荷密度获取方法，包括：选取两个具有不同沟道宽度的晶体管，所述晶体管除了沟道宽度之外的其它参数相同，并且使所述每一个晶体管承受相同的辐射；分别测量每一个晶体管在辐射前后的阈值电压值以及各晶体管的沟道宽度；获取每一个晶体管在辐射前后的阈值电压偏移值；根据所述两个晶体管的阈值电压偏移值之差以及其对应的沟道宽度，获取沿STI侧墙的有效薄层电荷密度。本发明有效地利用了具有不同沟道宽度的晶体管的阈值电压偏移值之间的差值，对由于辐射所产生的STI氧化层中的有效薄层电荷密度进行准确的估算，简化了计算复杂程度，提高了器件可靠性评估的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 薄层 电荷 密度 获取 方法 | ||
【主权项】：
一种有效薄层电荷密度获取方法，其特征在于，包括：选取两个具有不同沟道宽度的晶体管，所述晶体管除了沟道宽度之外的其它参数对应相同，并且使所述每一个晶体管承受相同的辐射；分别测量每一个晶体管在辐射前后的阈值电压值以及各晶体管的沟道宽度；获取每一个晶体管在辐射前后的阈值电压偏移值；根据所述两个晶体管的阈值电压偏移值之差以及其对应的沟道宽度，获取沿STI侧墙的有效薄层电荷密度。
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