[发明专利]导体图案的形成方法有效
| 申请号： | 201110299778.3 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102956438A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种导体图案的形成方法。在底层上形成种层。以能量射线对种层的部分表面进行照射处理，使得种层包括多个经照射区域与多个未经照射区域。对种层的经照射区域进行转化处理。进行选择性成长制程，以在种层的未经照射区域上生长导体图案。移除种层的经照射区域，使导体图案彼此电性绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导体图案的形成方法，其特征在于包括：在底层上形成种层；以能量射线对所述种层的部分表面进行照射处理，使得所述种层包括多个经照射区域与多个未经照射区域；对所述种层的所述经照射区域进行转化处理；进行选择性成长制程，在所述种层的各个所述未经照射区域上生长导体图案；以及移除所述种层的所述经照射区域，使所述导体图案彼此电性绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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