[发明专利]一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法有效
| 申请号： | 201110299091.X | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446833A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;侯多源;许隽;王科 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法，包括如下步骤：步骤A、在硅片上形成铜的种子层；步骤B、在所述铜的种子层上沉积覆盖一层铜的淀积层；步骤C、对铜的淀积层进行研磨；步骤D、将硅片送入反应腔室中，利用等离子条件下的NH3气体对铜的淀积层的表面进行预处理，以清除在所述铜的淀积层的表面所形成的铜的氧化物；步骤E、在反应腔室中，利用双大马士革氮化硅淀积工艺生成位于所述铜的淀积层上方的一层刻蚀阻挡层；步骤F、用NF3气体清洁反应腔室；步骤G、在反应腔室中通入N2O气体，用等离子条件下的N2O气体除去反应腔室中所残余的氢（H）和氟（F）。达到降低DDN工艺颗粒的效果，在铜制成工艺中有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 大马士革 氮化 工艺 颗粒 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A、在硅片上形成铜的种子层；步骤B、在所述铜的种子层上沉积覆盖一层铜的淀积层；步骤C、对铜的淀积层进行研磨；步骤D、将硅片送入反应腔室中，利用等离子条件下的NH3气体对铜的淀积层的表面进行预处理，以清除在所述铜的淀积层的表面所形成的铜的氧化物；步骤E、在反应腔室中，利用双大马士革氮化硅淀积工艺生成位于所述铜的淀积层上方的一层刻蚀阻挡层；步骤F、用NF3气体清洁反应腔室；步骤G、在反应腔室中通入N2O气体，用等离子条件下的N2O气体除去反应腔室中所残余的氢和氟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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