[发明专利]一种低充高保IC塑封工艺方法无效
申请号: | 201110298384.6 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102347248A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 曹阳根;廖秋慧;曹雨楠;阮勤超;张霞;唐佳;黄晨 | 申请(专利权)人: | 上海工程技术大学 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C45/26 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 杨军 |
地址: | 201620 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种低充高保IC塑封工艺方法,其具体方法步骤为:1)注塑充模阶段:把粘合了芯片并键合了金线的引线框放入型腔镶块平面上,上下模型腔闭合,对模具型腔加热到165℃左右,上下模料腔内的塑料熔融,液压注塑头施压对熔融塑料进行低速注塑,充满型腔;2)固化保压阶段:对模具型腔升高压力,并保持对熔融塑料施加高压,在高压状态下,熔融塑料固化成型;3)冷却脱模阶段;本发明可以降低内应力,高保压力下固化塑封体的密度提高,可以提高密封效果,减少湿气渗入的几率,提高产品使用寿命;较高的压应力状态下固化,在一定程度上避免了引线断裂、脱焊的可能性,高保压方法形成的低应力效果比单纯降低塑料线胀系数方法好。 | ||
搜索关键词: | 一种 低充高保 ic 塑封 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种低充高保IC塑封工艺方法,其具体方法步骤为:1)、注塑充模阶段:所采用的模具具有型腔镶块、流道浇口镶块、上下模料腔板、液压注塑头,把粘合了芯片并键合了金线的引线框放入型腔镶块平面上,上下模型腔闭合,对模具型腔加热到165℃左右,上下模料腔内的塑料熔融,液压注塑头施压对熔融塑料进行低速注塑,充满型腔;2)、固化保压阶段:对模具型腔升高压力,并保持对熔融塑料施加高压,在高压状态下,熔融塑料固化成型;3)、冷却脱模阶段:对模具型腔进行快速冷却,然后脱模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造