[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110298318.9 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103035709A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括衬底、半导体鳍片、栅堆叠、源/漏区以及半导体基体，其中：所述半导体鳍片位于所述半导体基体之上，且与所述半导体基体相连接，所述半导体基体的两端与所述衬底相连接；所述栅堆叠覆盖所述半导体鳍片的中心部分、并延伸至所述衬底表面；所述源/漏区位于所述半导体鳍片的端部分；其中，位于所述半导体鳍片两侧的衬底中具有空腔，所述空腔中具有绝缘材料。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。通过将半导体鳍片下方的半导体基体与位于该半导体基体下方的衬底隔离开，不但有效地减小了所述半导体鳍片下方的衬底区域，还降低了半导体器件与衬底之间的漏电流，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，该半导体结构包括衬底(100)、半导体鳍片(200)、栅堆叠、源/漏区以及半导体基体(120)，其中：所述半导体鳍片(200)位于所述半导体基体(120)之上，且与所述半导体基体(120)相连接，所述半导体基体(120)的两端与所述衬底(100)相连接；所述栅堆叠覆盖所述半导体鳍片(200)的中心部分、并延伸至所述衬底(100)表面；所述源/漏区位于所述半导体鳍片(200)的端部分；其中，位于所述半导体鳍片(200)两侧的衬底(100)中具有空腔(400)，所述空腔中(400)中具有绝缘材料(500)。
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