[发明专利]具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极/漏极电极，第二场效应晶体管的沟道区域用作第一场效应晶体管的源极/漏极电极。

主权项

一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；半导体柱，从所述半导体衬底延伸，所述半导体柱包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域之间，所述第三区域位于所述第二区域与所述半导体衬底之间；第一栅极图案，设置在所述第二区域上，第一绝缘层在所述第一栅极图案与所述第二区域之间；以及第二栅极图案，设置在所述第三区域上，第二绝缘层在所述第二栅极图案与所述第三区域之间。