[发明专利]新型三结砷化镓太阳电池

摘要

本发明涉及一种新型三结砷化镓太阳电池，所述中电池本征区的总厚度为0.1～2.4微米且由多个周期的量子点层/应变补偿层相互叠加构成；每周期的量子点层/应变补偿层中位于下部的量子点层的材料为InxGa1-xAs，厚度为1～6个亚单层，位于量子点层上方的应变补偿层的材料为GaNyAs1-y，厚度为0.02～0.04微米，所述0.4≤x≤1，0.001≤y≤0.5。本发明中，在中电池本征区中引入量子点结构，形成中间带，利用应变补偿层，使量子点层上的量子点密度达到1011每平方厘米，整体尺寸均匀，可以有效的利用不同波段的太阳光，使太阳电池的整体电流密度显著增加，提高了电池的转换效率。

主权项

一种新型三结砷化镓太阳电池，包括顶电池、中电池和底电池，在顶电池和中电池之间以及中电池和底电池之间分别设有一隧穿结，中电池由中电池窗口层、中电池发射区、中电池本征区、中电池基区和中电池背场层构成，其特征在于：所述中电池本征区的总厚度为0.1～2.4微米且由多个周期的量子点层/应变补偿层相互叠加构成；每周期的量子点层/应变补偿层中位于下部的量子点层的材料为InxGa1‑xAs，厚度为1～6个亚单层，位于量子点层上方的应变补偿层的材料为GaNyAs1‑y，厚度为0.02～0.04微米，所述0.4≤x≤1，0.001≤y≤0.5。