[发明专利]制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构有效
| 申请号： | 201110295189.8 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103021854A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;蒋骏 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构。提供一种制作FinFET的方法，包括：提供Si半导体衬底，在所述Si半导体衬底上的SiGe层以及在所述SiGe层上的Si层，其中所述SiGe层与所述衬底晶格匹配；图案化所述Si层和SiGe层，以形成Fin结构；在所述Fin结构的顶部和两侧形成栅堆叠以及围绕栅堆叠的间隔侧墙；以间隔侧墙为掩膜，去除Si层的、在所述间隔侧墙外侧的部分，从而留下Si层的、在所述间隔侧墙内侧的部分；去除SiGe层的、图案化后剩余的部分，以形成空隙；在所述空隙中形成绝缘基体；以及外延应力源漏区，其位于Fin结构和绝缘基体的两侧。本发明的FinFET具有与使用SOI制作的FinFET一样良好的对器件宽度和阈值以下泄漏的控制的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 场效应 晶体管 方法 以及 由此 形成 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种制作鳍式（Fin）场效应晶体管的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上的SiGe层以及在所述SiGe层上的Si层，其中所述SiGe层与所述衬底晶格匹配；图案化所述Si层和SiGe层，以形成Fin结构；在所述Fin结构的顶部和两侧形成栅堆叠以及围绕栅堆叠的间隔侧墙；以间隔侧墙为掩膜，去除Si层的、在所述间隔侧墙外侧的部分，从而留下Si层的、在所述间隔侧墙内侧的部分；去除SiGe层的、图案化后剩余的部分，以形成空隙；在所述空隙中形成绝缘基体；以及外延应力源漏区，其位于Fin结构和绝缘基体的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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