[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201110293091.9 | 申请日： | 2011-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN103035798A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层，所述活性层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于所述第一半导体层远离活性层的表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层，所述活性层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于所述第一半导体层远离活性层的表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。
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