[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201110288421.5 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN102629606A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 李成;董学;陈东;木素真 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置,涉及液晶显示技术领域,能够在不影响像素的透过率的前提下,大大降低数据线负载,从而减小液晶面板的功耗。该阵列基板包括:由栅线和数据线交叉限定的像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极;与所述像素电极配合产生边缘电场的条状的公共电极,所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘层;所述公共电极包括:覆盖在数据线上方且宽度大于数据线的第一公共电极和设置在像素电极上方的第二公共电极,所述第一公共电极对应于数据线的区域镂空。本发明应用于平面电场模式的液晶装置。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:由栅线和数据线交叉限定的像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极;与所述像素电极配合产生电场的条状的公共电极,所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘层;所述公共电极包括:覆盖在数据线上方且宽度大于数据线的第一公共电极和设置在像素电极上方的第二公共电极,其特征在于,所述第一公共电极对应于数据线的区域镂空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的