[发明专利]一种离子中性化网板无效
申请号: | 201110287917.0 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN102339715A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H05H3/00 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种离子中性化网板,属于中性离子刻蚀技术领域。所述离子中性化网板为台阶式结构,所述中性化网板上设置有多个网孔。本发明提供的离子中性化网板,有助于提高离子中性化的效率,提高了中性粒子束密度分布的均匀性、粒子速度等特性的稳定,对于有效控制中性粒子束工艺起到关键的作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 中性 化网板 | ||
【主权项】:
一种离子中性化网板,其特征在于,所述离子中性化网板为台阶式结构,所述离子中性化网板上设置有多个网孔。
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