[发明专利]特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程无效
申请号: | 201110284045.2 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN103022232A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 张思思;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明主要目的是特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程,其主要为检测方式的一种改善,先将PECVD镀膜的P型、I型、N型半导体薄膜待其玻璃降温,随后将玻璃放置于玻璃切割载台上,让刀片接触膜面,以固定一方向去除膜面,并再由膜厚仪进行量测以得到最佳的数据。此刀片发明则是刀片本身设计较为倾斜状,而刀背则是联接一支撑架,此支撑架则是可活动式,让刀片可作前后移动,当玻璃放入到玻璃载台时时,支撑架下压让刀片接触玻璃面,此时刀尖已完全接触玻璃,随后支撑架开始前后移动,刀尖开始去除膜面,如此的方式可以乾净去除膜面,且随后膜厚仪也能精准确定膜厚,可让制程人员了解下次如何改进P型、I型、及N型半导体薄膜,并增加太阳能膜层效率。 | ||
搜索关键词: | 特殊 刀片 去除 pin 薄膜 量测膜厚 改善 | ||
【主权项】:
一种以特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程,其主要为检测方式的一种改善,先将PECVD镀膜的P型、I型、以及N型半导体薄膜,玻璃制程后待其玻璃降温,随后将玻璃放置于玻璃切割机台上,主要让玻璃能够放入到玻璃载台的凹槽内,接着让刀片接触膜面,以固定一方向去除膜面,并再由膜厚仪进行量测以得到最佳的数据,此刀片发明则是刀片本身设计较为倾斜状,而刀背则是联接一支撑架,此支撑架则是可活动式,让刀片可作前后移动,当玻璃放入到玻璃载台时时,支撑架下压让刀片接触玻璃面,此时刀尖已完全接触玻璃,随后支撑架开始前后移动,刀尖开始去除膜面,如此的方式可以干净去除膜面,且随后膜厚仪也能精准确定膜厚,可让制程人员了解下次如何改进P.I.N半导体薄膜,并增加太阳能膜层效率。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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