[发明专利]具有改良结构的MSM光探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有改良结构的MSM光探测器及其制备方法。该探测器包括自上而下依次设置的有源层、缓冲层及绝缘衬底，该有源层上还设有电极，并且至少所述电极的局部被掩埋设置于有源层中；其制备方法为：在叠设于绝缘衬底上的有源层表面掩模刻蚀形成掩埋电极沟道，并在掩埋电极沟道内填充导电材料，形成设定形态的电极。本发明用掩埋在半导体材料内的电极结构代替原有的表面电极结构，掩埋型电极可以在材料内部形成水平方向的电场，获得比表面电极结构更强的电场场强，电子在较强的场强作用下，沿着近似直线的轨迹运动，加速了光生载流子的漂移，有效的缩短了器件的响应时间，提高了器件的响应度，且其制备工艺简单可控。

主权项

一种具有改良结构的MSM光探测器，包括自上而下依次设置的有源层、缓冲层及绝缘衬底，所述有源层上还设有电极，其特征在于：至少所述电极的局部被掩埋设置于有源层中。