[发明专利]一种倒装三结InGaN太阳能电池

摘要

本发明涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池，包括一衬底，其下依次为GaN成核层、GaN缓冲层、三结InGaN电池和之间的隧道结、半透明电流扩展层，半透明电流扩展层下的正电极和第一InGaN电池下的负电极；半透明电流扩展层和第三InGaN电池之间置有帽层，正、负电极通过金属凸点键合于蒸镀有反射层的载体上。本发明采用倒装结构三结太阳能电池以及InGaN材料生长过程之后的高掺杂层作帽层、金属凸点和载体，充分吸收了太阳光谱，外量子效率超过70%，提高了光电转换效率，延长了电池的使用寿命，加强了电池工作的稳定性，并可作为完整的电池直接应用。

主权项

一种倒装三结InGaN太阳能电池，包括一衬底，其下依次为GaN成核层、GaN缓冲层、三结InGaN电池和之间的隧道结、半透明电流扩展层，蒸镀于半透明电流扩展层下的正电极，其特征在于：所述三结InGaN电池和隧道自上至下依次为第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池，第一InGaN电池下蒸镀有负电极；所述半透明电流扩展层和第三InGaN电池之间置有帽层，所述正电极和负电极通过金属凸点键合于蒸镀有反射层的载体上。