[发明专利]SiC半导体器件及其制造方法

摘要

一种SiC半导体器件，包括：按下述顺序堆叠的衬底(1)、漂移层(2)和基极区(3)；第一和第二源极区(4a，4b)和基极区中的接触层(5)；穿透所述源极和基极区的沟槽(6)；沟槽中的栅电极(8)；覆盖栅电极，具有接触孔的层间绝缘膜(10)；经由所述接触孔与所述源极区和所述接触层耦合的源电极(9)；衬底上的漏电极(11)；以及金属硅化物膜(30)。高浓度的第二源极区比低浓度的第一源极区更浅，且高浓度的第二源极区具有被层间绝缘膜覆盖的部分，该部分包括表面附近的低浓度的第一部以及比第一部深的高浓度的第二部。第二部上的金属硅化物膜的厚度大于第一部上的金属硅化物膜的厚度。

主权项

一种SiC半导体器件，包括：具有第一导电类型或第二导电类型并由SiC制成的衬底(1)；设置于所述衬底(1)上，由SiC制成并具有所述第一导电类型的漂移层(2)，其中所述漂移层(2)的杂质浓度低于所述衬底(1)；设置于所述漂移层(2)上，由SiC制成并具有所述第二导电类型的基极区(3)；设置于所述基极区(3)的表面部中，由SiC制成并具有所述第一导电类型的源极区(4)，其中所述源极区(4)的杂质浓度高于所述漂移层(2)；电耦合于所述源极区(4)和所述基极区(3)之间并设置于所述基极区(3)的另一表面部中的接触层(5)；设置于所述源极区(4)的表面上以穿透所述源极区(4)和所述基极区(3)并具有纵向方向的沟槽(6)；设置于所述沟槽(6)的内壁上的栅极绝缘膜(7)；隔着所述栅极绝缘膜(7)设置于所述沟槽(6)中的栅电极(8)；覆盖所述栅电极(8)并具有接触孔的层间绝缘膜(10)，从所述接触孔部分地暴露所述源极区(4)和所述接触层(5)；经由所述接触孔与所述源极区(4)和所述接触层(5)电耦合的源电极(9)；设置于所述衬底(1)与所述漂移层(2)相对的背侧上的漏电极(11)；以及金属硅化物膜(30)，其中：所述源极区(4)包括第一源极区(4a)和第二源极区(4b)；所述第二源极区(4b)的杂质浓度高于所述第一源极区(4a)；所述第二源极区(4b)设置于比所述第一源极区(4a)更浅的位置；所述第二源极区(4b)的第一部分由所述层间绝缘膜(10)覆盖，所述第二源极区(4b)的第二部分设置于所述接触孔下方；所述第二源极区(4b)的第一部分包括所述第二源极区(4b)的表面附近的第一位置处的第一部和比所述第一位置更深的第二位置处的第二部；所述第二源极区(4b)的所述第一部分的第一部的杂质浓度低于所述第二源极区(4b)的所述第一部分的第二部；所述金属硅化物膜(30)设置于所述第二源极区(4b)的所述第二部分上；所述金属硅化物膜(30)由包括与所述源电极(9)的金属相同的金属的金属硅化物制成；并且所述金属硅化物膜(30)的厚度大于所述第二源极区(4b)的所述第一部分的第一部的厚度。